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81.
LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
曾莹  王纪民 《微电子学》1997,27(1):37-42
研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了LDD结构参数对器件击穿特性的影响,并结合实验结果对N^-区的注入剂量,长度及引入的串联电阻进行了优化设计。  相似文献   
82.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算   总被引:1,自引:1,他引:0  
王纪民  蒋志 《微电子学》1997,27(2):121-124
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。  相似文献   
83.
张荣  曲宏伟 《微电子学》1998,28(6):437-439
制作压力传感器时,在二氧化硅层上淀积多晶硅膜,既可利用优良的机械特性,又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性,由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明,这类传感器具有灵敏度好,精度高等特点,电路工作范围为0-250℃,且具有良好的温度稳定性。  相似文献   
84.
要提高曲线轮廓汉字的还原质量, 需要在字形还原时采用网格适配技术本文介绍了网格适配的基本原理, 并在分析汉字字形还原失真现象的基础上, 给出了我们自己设计并实现的适合于曲线轮廓汉字特点的二种网格适配方法, 即动态的补象素算法和曲线轮廓汉字的技术  相似文献   
85.
大系统分散鲁棒容错控制的进展及主要成果   总被引:1,自引:0,他引:1  
综述了近20年来关联大系统分散鲁棒容错控制的研究动态及取得的主要成果。说明了统一地研究分散鲁棒容错控制的必要性。在分散控制、鲁棒控制和容错控制研究领域内,分析了各种设计方法的主导思想及实质;指出了这些研究成果的意义与存在的问题。文中着重论述了分散、鲁棒、容错控制研究方法的发展途径。  相似文献   
86.
A large quantity of laminated fine grain zones were observed in the Al-Mg-Li alloy weld metal by manual TIG, which was not found in ordinary Al alloy welds. The fine grain zone is formed because of the Al3(Zr,Ti) particles in the filler metal and the manual filling of filler metal in welding process  相似文献   
87.
纳米级BaAl_2O_4微粉的制备和性质   总被引:2,自引:1,他引:1  
分别用溶胶 -凝胶法、低温固相反应法 ,制得了纳米级BaAl2 O4微粉 ,用电镜观察了其形貌和粒径的大小 ,用X-射线衍射仪进行了物相分析 ,测定了其纯度与晶型 ,讨论了制备方法与粒度大小的相互影响  相似文献   
88.
异丙苯在Cu-HMS分子筛上的催化氧化   总被引:3,自引:2,他引:1  
以含Cu的中孔分子筛(Cu-HMS)为催化剂,研究异丙苯的催化氧化。研究发现,Cu-HMS催化剂的加入使异丙苯氧化的诱导期显著缩短。在75℃下,以Cu-HMS为催化剂,O2为氧化剂的纯异丙苯氧化反应,苯乙酮为主要副产物,反应的选择性和转化率都很高。当催化剂用量为1 5×10-4mol/ml时,反应8h后,异丙苯转化率为32 7%,目的产物的累积浓度(质量分数)为37 7%,选择性为99%;反应12h后,异丙苯转化率为42 4%,目的产物的累积浓度为46 3%,选择性为95 6%。  相似文献   
89.
甲醇氧化羰化制碳酸二甲酯产物气相色谱分析   总被引:6,自引:1,他引:5  
以Chromosorb 10 1为固定相 ,气相色谱法分析甲醇氧化羰化制碳酸二甲酯产物中水、甲醇、乙酸甲酯和碳酸二甲酯等组份的含量 ,考察了柱温 ,载气流量对分离度的影响 ,确定了适宜的分析条件 ,并用校正面积归一化法定量。该方法操作简便 ,快速 ,精度高 ,重现性好  相似文献   
90.
高速往复式内燃机平衡轴低质量设计分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
分析了扇形和偏心圆两种平衡轴设计的要求以及平衡重低质量的设计原则。扇形平衡重半径及宽度应尽量大、夹角应尽量小。偏心圆平衡重的偏心圆半径应尽可能大 ,轴承半径应尽可能小。同样质量的扇形平衡重产生的平衡力比偏心圆平衡重要大。  相似文献   
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